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첨단 로직·전력 소자의 속도를 결정하는 팹, 패키징, 소재, 테스트 제약.
67건의 분석
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PEB 핫플레이트 균일은 스캐너 도즈 손잡이가 지울 수 없는 CD 흔들림을 소유한다
노광 후 베이크는 잠상 이미지를 완성한다. 웨이퍼 전역 플레이트 온도 범위는 노광 에너지가 여전히 중심으로 보이는 동안 선폭을 다시 쓴다. 트랙 베이크 계측이 또 다른 도즈 래더보다 낫다.
2026년 9월 30일
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구리 ECD는 시드를 물려받는다—얇거나 얼룩진 시드는 도금 보이드와 두께 혼돈이 된다
전기화학 증착은 연속 전도성 시드가 필요하다. PVD·CVD 시드 두께, 보이드, 가장자리 감육은 욕 화학이 탓받기 전에 필 품질을 다시 쓴다.
2026년 9월 29일
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BARC 두께는 레지스트 레시피가 고칠 수 없는 리소그래피 윈도우를 소유한다
하부 반사방지 코팅은 포토레지스트 아래 반사율과 스윙커브 거동을 정한다. 트랙 코팅 균일과 포스트어플라이 베이크 드리프트는 스캐너 노광량이 틀려 보이기 전에 CD·초점 예산을 다시 쓴다.
2026년 9월 28일
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스핀 척 진공 손실은 레시피가 틀려 보이기 전에 웨이퍼를 날린다
트랙 코터와 관련 툴은 진공 홈으로 웨이퍼를 잡는다. 막힌 포트, 마모 씰, 약한 진공은 레시피 타이머가 완벽한 코팅을 주장하는 동안 디스크를 미끄러뜨리거나 날린다.
2026년 9월 26일
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구리 CMP는 ‘패드가 반짝인다’로 실패하지 않는다—디싱·침식 맵으로 실패한다
오버폴리시는 잔류 구리를 지운 뒤에도 배리어가 버티는 동안 넓은 피처의 연질 금속을 계속 깎는다. 디싱, 침식, 엔드포인트 정직성이 다음 리소 단계가 토포그래피 문제를 물려받을지를 가른다.
2026년 9월 25일
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쿼츠 뷰포트가 흐려지면 에치 광학 엔드포인트는 조용히 무너진다
엔드포인트 검출기는 창을 통해 빛을 본다. 폴리머 헤이즈, 에치 부산물 막, 어긋난 파이버는 맑은 엔드포인트를 타임 오버에치나 하드 알람 없이 수율을 깎는 조기 중지로 바꾼다.
2026년 9월 22일
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엣지 비드 제거는 코터 트랙이 두껍게 남긴 웨이퍼 가장을 담당한다—에칭 모듈이 물려받는다
EBR 솔벤트, 노즐 조준, 스핀 레시피가 가장자리 포토레지스트 더미가 파티클·엣지 다이 스크랩이 될지를 정한다. 베벨 에칭과 애시 스트립은 다음 장이고, 이 글은 트랙의 엣지 컷이다.
2026년 9월 21일
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RF 매칭 네트워크가 에칭을 안정시킨다—반사 전력이 매치 드리프트의 첫 고백이다
튜닝 커패시터, 케이블 건전성, 챔버 부하가 순방향 전력이 플라즈마에 도달하는지를 정한다. MFC 제로/스팬과 크라이오펌프 노트는 다른 모듈이다. 이 글은 매치 건강과 반사 전력의 정직함이다.
2026년 9월 19일
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질량 유량 제어기(MFC)가 에칭·CVD 화학양론을 정한다—제로·스팬 드리프트는 레시피 편집기를 건드리지 않고 레시피를 다시 쓴다
열식·압력식 MFC는 교정이 마지막으로 믿었던 값을 보고한다. 가스 보정 계수, 제로 오프셋, 기한이 지난 스팬 점검은 공정 레시피를 열기 전에 막 두께와 에칭률을 옮긴다.
2026년 9월 19일
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Cryopump는 ‘나쁜 진공’으로 고장 나지 않는다—regeneration이 용량을 되찾지 못할 때 고장 난다
에치·CVD 장비에서 cryopump는 콜드 어레이에 물과 공정 가스를 포집한다. Base pressure는 regen 후 어레이에 용량이 남아 있고 포어라인이 여전히 당길 때만 회복된다. 택트를 아끼려 regen을 건너뛰면 다음 레시피를 조용히 망친다.
2026년 9월 18일
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Bevel etch는 다른 모든 모듈이 남의 문제로 미루는 웨이퍼 에지를 책임진다
전면 etch, CMP, 리소그래피는 제어된 bevel과 exclusion zone을 가정한다. 에지에 남은 파티클과 막은 안쪽으로 이동한다. Bevel을 한 번도 ‘소유’하지 않는 툴도 그 스크랩을 상속한다.
2026년 9월 17일
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임시 웨이퍼 bonding은 thinning을 위한 손잡이다—debond 수율이 그 손잡이의 가치를 결정한다
캐리어 부착, 접착·이형층, debond 방식은 취약한 웨이퍼의 이면 공정을 가능하게 한다. 이형 후의 파티클·void·잔류 접착제는 bond 툴이 이미 유휴로 보여도 수율과 오염으로 오래 남는다.
2026년 9월 15일
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ALD 막 두께는 전구체 공급 온도와 라인 히트 트레이싱을 유틸리티 각주로 다룰 때 드리프트한다
앰플 설정값, 가열 이송 라인, 증기 인출 안정도가 원자층 증착이 일정한 전구체 도즈를 보는지를 결정한다. 챔버 레시피 화면은 상류에서 증기를 응축시키는 냉점을 보상할 수 없다.
2026년 9월 14일
반도체
스퍼터 타깃 수명은 툴의 킬로와트시 카운터만이 아니라 침식 맵이다
레이스트랙 깊이, 재증착, 두께 균일도는 타깃이 ‘다 쓴 것처럼 보이기’ 훨씬 전에 움직인다. 달력만으로 타깃을 바꾸는 챔버는 스크랩과 금속 낭비를 함께 감수한다.
2026년 9월 11일
반도체
플라즈마 ash 후 불완전한 photoresist strip은 두 모듈 뒤에도 드러난다
Endpoint 신호와 광학 잔류물이 ash가 웨이퍼를 깨끗이 했는지, 아니면 챔버 레시피 타이머만 끝냈는지를 결정한다. 하류 etch와 implant는 strip 단계가 제거했어야 할 탄소를 물려받는다.
2026년 9월 10일
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구리 ECD는 ‘플레이팅 툴 초록’ 램프가 아니라—배스와 전류밀도 정직성으로 무너진다
첨가제 건강, 애노드 상태, 유량, 웨이퍼 내 전류 분포가 시드와 필 균일성을 결정한다. 모든 로트를 일정대로 끝내는 툴도 다음 CMP·에치 창을 죽이는 두께 맵을 출하할 수 있다.
2026년 9월 08일
반도체
클린룸이 그대로여도 카운터 베이스라인이 드리프트하면 초록 입자 수는 몇 달 거짓말할 수 있다
ISO 21501 교정 주기, 흡입 호스 균열, 레이저 노화가 fab 수율이 움직이기 전에 영점을 밀어낸다. 드리프트 계기로 베이를 자격 주는 것은 공기 청정이 아니라 서류 청정이다.
2026년 8월 27일
반도체
퍼스트 웨이퍼 효과는 수수께끼 RF 시간이 아니라 습식 세정 후 챔버 벽 기억이다
시즈닝 웨이퍼, 벽의 폴리머, PM 후 첫 생산 로트가 에치율·선택비가 POR에 맞는지—회의 노트에만 맞는지—를 결정한다. 초록 베이스 압력 아이콘은 벗은 챔버를 인증하지 않는다.
2026년 8월 26일
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로드락 leak-up은 챔버가 다음 레시피를 만날지 복도를 만날지를 정한다
크로스오버 압력, 도어 씰 마모, 베이스까지의 pumpdown 시간이 전송이 진공-클린인지—다음 레시피를 오염시키는 느린 누설인지—를 결정한다. 초록 챔버 압력 아이콘이 마지막 PM의 leak-up 곡선을 인증하지 않는다.
2026년 8월 26일
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스핀 린스 드라이어 워터마크는 수수께끼 에치 바이어스가 아니라 린스 화학과 스핀 진실이다
DI 품질, IPA·표면장력 보조, 배기, 레시피 스핀 프로파일이 습식 세정이 마른 웨이퍼를 남길지—파티클처럼 보여 검사에서 수율을 죽이는 링·반점을 남길지—를 결정한다. DI 루프의 초록 파티클 카운터는 건조 마지막 20초를 인증하지 않는다.
2026년 8월 25일
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와이어 본드 수율 절벽은 수수께끼 몰드 컴파운드가 아니라 캐필러리 면과 세컨드 본드 진실이다
캐필러리 마모, 챔퍼 기하, 스티치/볼 파라미터가 다이 어태치가 초록으로 보인 훨씬 뒤에도 패드가 들리고 넥이 끊기는지를 결정한다. 안정된 와이어 스풀 로트는 십만 본드를 발사한 팁을 인증하지 않는다.
2026년 8월 24일
반도체
웨이퍼 소트 수율 절벽은 종종 새 에치 바이어스가 아니라 프로브 카드 접촉이다
포고·니들 마모, 평면도, 스크럽 길이가 다이가 소트에서 오픈 불량인지—패키지에서 죽을지—를 결정한다. 초록 fab 로트 이력은 십만 터치다운을 한 카드를 인증하지 않는다.
2026년 8월 22일
반도체
CMP 패드는 슬러리 토트 라벨이 아니라 그루브 기억과 컨디셔너 진실로 무너진다
패드 그루브 깊이, 글레이즈, 다이아몬드 컨디셔너 공격성이 슬러리 로트 합격 뒤에도 제거율과 웨이퍼 내 균일성을 결정한다. 초록 입도 성적서는 3천 웨이퍼를 연마한 패드를 인증하지 않는다.
2026년 8월 21일
반도체
웨이퍼 보우는 리소그래피 입력이다. 계측의 뒤늦은 생각이 아니다
전역·국소 워프는 스캐너 레시피를 탓하기 훨씬 전에 포커스 예산, 오버레이, 척 접촉을 결정한다. 수율 위기 후에야 보우를 재는 팹은 입고 또는 막 후 게이트가 막았을 재작업 비용을 낸다.
2026년 8월 21일
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에치와 막 사이의 Q-time은 수율 시계다. 디스패치 불편이 아니다
플라즈마 에치 후 대기 시간은 잔류물, 산화물, 공기 중 분자 오염이 다음 장비가 자기 것이라 믿는 표면을 다시 쓰게 한다. 하드 Q-time 인히빗 없이 가동률만 최대화하는 디스패치는 제시간에 보이는 웨이퍼와 나중에 죽는 다이를 고르는 일이다.
2026년 8월 19일
반도체
ESC 헬륨 누설은 척을 스니핑하기 전까지 에치 바이어스처럼 보인다
이면 헬륨 압력, leak-up 속도, 디척 거동이 플라즈마 장비의 웨이퍼 온도 균일성을 결정한다. 세라믹 척이나 리프트핀 씰이 새면 레시피는 그대로 돈다. 에지 CD와 오버레이만 흔들리고, 고장은 챔버 매칭으로 분류된다.
2026년 8월 19일
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CMP 슬러리는 연마재이기 이전에 화학 공급망이다
입자 크기 분포, pH 안정성, 콜드체인 무결성이 화학기계적 평탄화가 다음 공정 단계가 기대하는 평탄한 웨이퍼를 제공할지—아니면 소자 테스트 전 검사가 항상 포착하지 못하는 마이크로 스크래치 집단을 도입할지를 결정한다.
2026년 8월 18일
반도체
AI 캠퍼스 광섬유 수요는 패치패널 브로슈어가 아니라 업스트림 프리폼 유리에서 시작한다
프리폼 품질, 인출 수율, 특수 광섬유 용량이 데이터센터 광 구축이 스케일할 수 있는지를 결정한다—AI 패브릭 뒤의 재료·인출 플랜트 진실. CPO 패키지 데모만, 글래스코어 서브스트레이트 패키징 경쟁만, 액냉 랙 에세이가 아니다.
2026년 8월 13일
반도체
TIM bond-line 제어는 AI module lid 아래의 조용한 열 게이트다
Paste pattern, bond-line thickness, void 규칙이 lid attach가 silicon을 식히는지—아니면 익히는지—가른다—반도체 packaging 열 공정이지, liquid-cooling rack facility 단독도, silver sinter die attach 단독도, molded underfill void 단독도 아니다.
2026년 8월 11일
반도체
실버 신터 다이 어태치가 파워 모듈의 열적 관문이 된다
본드라인 두께, 신터 보이드, 압력-온도 프로파일이 SiC/GaN 모듈이 열을 견딜지를 결정한다—반도체 파워 패키징 공정 이야기이며, 하이브리드 본드 HBM 스택도, 몰드 언더필 보이드 단독도, 패키지 번인 처리량도 아니다.
2026년 8월 10일
반도체
노운굿다이(KGD) 인벤토리는 아무도 패키징 슬라이드에 넣지 않는 칩렛 스케줄이다
KGD 빈, 트레이 제네알로지, 테스트-이스케이프 경제성이 멀티다이 패키지의 시작 가능 여부를 결정한다—반도체 패키징 운영. UCIe 프로토콜 덱만, 하이브리드본드 수율만, ABF 서브스트레이트 용량만이 아니다.
2026년 8월 08일
반도체
유리섬유가 유일한 악당이 아니게 되자 HVLP 동박이 PCB 관문이 되다
동박 등급, 가공비, 인증 주기가 AI·HDI 기판을 만들 수 있는지를 정한다—반도체/전자 소재 공급 이야기. ABF 기판 용량 단독이 아니고, 글라스코어 패키지 경쟁이 아니고, CMP 슬러리 물류가 아니다.
2026년 8월 07일
반도체
몰드 언더필 보이드는 본딩 슬라이드가 녹색이 된 뒤 조용한 킬러가 된다
필렛 형상, 큐어 프로파일, 보이드 계측이 대형 AI 패키지가 열-기계적 수명을 견딜지를 정한다—반도체 패키징 공정 관리 이야기이지, 하이브리드 본드 수율 덱도, 기판 워피지 단독도, 번인 처리량 게이트도 아니다.
2026년 8월 05일
반도체
SiC 에피 결함 맵이 어떤 웨이퍼가 디바이스 로트를 받을지 결정한다
에피 두께 균일도, 킬러 결함 밀도, disposition 맵이 결정 웨이퍼와 전력 디바이스 사이에 있다—반도체 공정 제어. 볼 공급 헤드라인, SiC/GaN 스위치 마케팅, 패키지 번인 게이트가 아니다.
2026년 8월 05일
반도체
소스 캘린더 EUV-S7: 생산적이지 않았던 초록 날들
가용 시간·도즈 안정·컬렉터 상태가 ‘up’이 웨이퍼를 뜻하는지 결정한다—반도체 EUV 소스 캘린더. High-NA 스티칭 에세이, 레티클 보관 연쇄, 챔버 매칭 스코어카드가 아니다.
2026년 8월 05일
반도체
레티클 보관망 RC-6: 이름 없이 케이지를 떠난 마스크
체크아웃 서명, 포드 ID, 반납 계측이 레티클이 여전히 당신이 아는 그것인지 결정한다—반도체 보관 연쇄. FOUP 여행기, 챔버 매칭 스코어카드, 펠리클 공급 에세이가 아니다.
2026년 8월 04일
반도체
챔버 매칭 스코어카드 CM-4: 초록 평균, 빨간 가장자리
툴 간 델타, 에지 다이 맵, RF시간 버킷이 '매칭된 챔버'가 진짜인지 결정한다—반도체 매칭 스코어카드. 에치 DOE 리포트, 웨트배스 노트, 임플란트 도즈 체인이 아니다.
2026년 8월 04일
반도체
DOE 보고서 ET-09: etch pressure를 탓한 split-lot가 다른 것을 증명한 사건
Factor table, wafer map, confirmation lot가 process change가 causal인지 가른다—반도체 experiment 보고서이지, ion-implant dose chain·wet-bath notebook·High-NA stitching program이 아니다.
2026년 7월 29일
반도체
FOUP #A-7741 여행기: 오염은 입자 신화가 아니라 경로
캐리어 이력, AMHS 핸드오프, loadport 규율이 웨이퍼가 외래 입자를 물려받을지 가른다—반도체 물류-오염 이야기이지, AMC 탐정 타임라인, UPW 순도 루프, 포토레지스트 track 콜드체인이 아니다.
2026년 7월 28일
반도체
Lab notebook: wet-bench bath #7과 아무도 log하지 않은 lifetime
Bath age, spike chemistry, changeout trigger가 particle과 etch drift를 가른다—반도체 wet-process notebook이지, UPW loop purity·CDA dew point·photoresist track logistics가 아니다.
2026년 7월 28일
반도체
워룸 트랜스크립트: 네온, 헬륨, 가스를 PO로 본 fab
실린더 배분, 순도 등급, 이중 공급 거짓말이 특수 가스가 조일 때 litho·etch uptime을 가른다—반도체 재료 capacity 이야기이지, photoresist 콜드체인, CMP 슬러리 IBC, 건식 진공 펌프 리빌드가 아니다.
2026년 7월 28일
반도체
도즈를 따라가라: 폐쇄 측정 사슬로서 이온 주입
빔 전류, Faraday 컵, 전하 중화, 도즈 SPC가 디바이스 파라메트릭 건강을 좌우한다—반도체 계측·제어 이야기이지, 포토레지스트 트랙 물류·High-NA 스티칭·드라이 진공 펌프 신뢰성이 아니다.
2026년 7월 27일
반도체
High-NA EUV는 스티칭과 DOF에서 실패한다—스캐너 브로슈어가 아니라
필드 스티칭, 박 resist DOF, 마스크–에칭 공동 최적화가 High-NA 수율 창을 좌우한다—반도체 공정 이야기이지, High-NA 툴 개요·펠리클 물류·포토레지스트 트랙 콜드체인이 아니다.
2026년 7월 25일
반도체
트랙 코터는 공급망이다: 레지스트 물류가 무너지면 리소가 기다린다
포토레지스트 콜드체인·디스펜스 건강·코팅 균일도가 리소 큐 시간을 좌우한다—반도체 소모품 이야기이지, EUV 펠리클 공급·AMC 수사·드라이 진공 펌프가 아니다.
2026년 7월 24일
반도체
드라이 펌프 워룸: 툴 진공이 팹 용량 제약이 될 때
드라이 진공 펌프·포어라인·어베이트먼트가 에칭/CVD 가동률을 좌우한다—반도체 유틸리티 이야기이지 CMP 슬러리 토트, AMC 수사, 질소 블랭킷팅이 아니다.
2026년 7월 23일
반도체
0시부터 2주까지: AMC 수사가 리소그래피 베이를 실제로 어떻게 클리어하는가
기상 분자 오염은 레지스트·광학을 위한 탐정 타임라인이다—CMP 슬러리 물류도, EUV 펠리클 공급도, 클린룸 HVAC 브로슈어 수학도 아니다.
2026년 7월 22일
반도체
CMP 슬러리는 토트 라벨을 입은 공정 화학 공급망이다
입도·패드 페어링·이중 소싱 물류가 폴리시 수율을 결정합니다. 팹용 조달 타임라인이며 기판·마스크 이야기가 아닙니다.
2026년 7월 21일
반도체
EUV 포토마스크·펠리클 공급이 숨은 리소그래피 게이트가 된다
마스크 샵 용량과 펠리클 수율이 툴 설치 후 스캐너 가동을 소유합니다. High-NA CapEx·ABF 기판에 인접하며 초점은 레티클 물류입니다.
2026년 7월 21일
반도체
SiC 웨이퍼 공급이 전력 디바이스 램프 뒤의 병목이 된다
불에서 웨이퍼까지 용량·결함 밀도·직경 전환입니다. SiC/GaN 디바이스 헤드라인·SST 랙·산업 드라이브 설치와 구분됩니다.
2026년 7월 20일
반도체
기판 워피지 계측이 대형 AI 패키지의 조용한 게이트가 된다
대형 유기·패널 캐리어의 평탄도 측정과 공정 제어입니다. ABF 용량 헤드라인·글라스 코어 베팅·패키지 테스트 플로어와 구분됩니다.
2026년 7월 20일
반도체
ABF 유기 기판이 글라스 파일럿 중에도 여전히 물량 게이트
빌드업 ABF 용량·수율이 여전히 대부분 AI 패키지를 출하합니다. 글라스 코어 베팅·CoWoS/CoPoS 라인·패키지 테스트 플로어와 구분됩니다.
2026년 7월 19일
반도체
UCIe가 칩렛 인터커넥트를 슬라이드웨어에서 패키징 계약으로
다이투다이 표준 준수·PHY 제약입니다. 칩렛 수출 서사·CXL 풀링·하이브리드 본드 수율·CPO/LPO 옵틱과 구분됩니다.
2026년 7월 19일
반도체
패키지 테스트·번인이 AI 패키징 처리량 게이트가 된다
핸들러·소켓·번인 용량이 첨단 AI 패키지를 제한합니다. CoWoS·하이브리드 본드·글라스 기판의 하류입니다.
2026년 7월 17일
반도체
CFET 적층이 나노시트 GAA 이후 밀도 베팅이 된다
상보 FET 수직 적층은 로직 스케일 지속을 겨냥합니다. GAA 위험 램프·하이브리드 본딩 HBM·첨단 패키징 경쟁과 구분됩니다.
2026년 7월 11일
반도체
프로세싱-인-메모리가 AI의 데이터 이동 세금을 겨냥한다
PIM·니어메모리 연산은 추론·임베딩 워크로드의 HBM 왕복 에너지를 줄이려 합니다. 또 다른 패키징·본딩 경쟁이 아니라 아키텍처 완화입니다.
2026년 7월 06일
반도체
하이브리드 본딩이 AI HBM 스택의 수율 관문이 된다
Cu-Cu·하이브리드 본딩이 HBM과 로직을 더 가깝게 만듭니다. 용량은 웨이퍼 스타트·기판 로드맵만이 아니라 본드 수율과 클린룸 CapEx를 따릅니다.
2026년 7월 01일
반도체
글래스 코어 서브스트레이트가 다음 AI 패키징 소재 경쟁이 되다
스루글래스 비아와 글래스 코어가 랩을 떠납니다. 파일럿 라인·JV가 2026–27 인증을 노리고, 유기 서브스트레이트는 대형 AI 패키지에서 워피지·크기 한계에 부딪힙니다.
2026년 6월 28일
반도체
GAA 나노시트 로직이 로드맵 슬라이드에서 리스크 양산으로
게이트올어라운드 트랜지스터는 더 이상 미래 노드 약속이 아닙니다. RibbonFET급 소자의 18A급 플로가 리스크 양산에 들어가 GAA를 백사이드 전력과 짝지어 AI 시대 밀도를 노립니다.
2026년 6월 24일
반도체
LPO 광학이 풀 CPO 전에 AI 패브릭을 잇는다
리니어·기타 플러그형 광학이 CPO가 성숙하는 동안 2026 물량을 가져갑니다. 구리보다 낮은 전력, CPO보다 낮은 통합 위험, 스케일아웃을 위한 실제 조달 선택입니다.
2026년 6월 19일
반도체
CXL 메모리 풀링이 AI의 용량 우회로가 된다
HBM과 GPU 패키지가 비용·공급 벽에 부딪히면 CXL 패브릭이 랙이 범용 DRAM을 공유하게 합니다. HBM보다 느리지만, 메모리 때문에 연산을 사는 일을 막는 더 싼 용량입니다.
2026년 6월 14일
반도체
칩렛·3D 스택이 수출 통제 우회로가 된다
첨단 EUV 접근이 막히면 설계자는 패키징으로 성능을 밀어 올립니다. 칩렛·하이브리드 본딩·수직 스택이 아키텍처를 지정학 전략으로 바꿉니다.
2026년 6월 09일
반도체
HBM4가 메모리를 AI 공급망 경쟁으로 바꾼다
2026년 양산과 초기 HBM4E 샘플이 다음 가속기 세대를 누가 먹일지를 다시 씁니다. 베이스 다이 공정·스택 높이·고객 자격이 이제 DRAM 비트만큼 중요합니다.
2026년 6월 04일
반도체
백사이드 전력 전달이 AI 노드 설계 제약이 된다
웨이퍼 뒷면에서 전력을 공급하면 앞면 인터커넥트를 신호에 비울 수 있습니다. 다만 공정 복잡도·열 경로·수율 학습이 누가 먼저 양산하는지를 정합니다.
2026년 5월 30일
반도체
High-NA EUV가 팹 CapEx·공정 결정이 된다
0.55-NA EUV 장비가 서브-2nm 작업을 위해 자격 검증에 들어갑니다. 비용·처리량·0.33-NA 다중패터닝이 여전히 이기는지가 실제 로드맵 질문입니다.
2026년 5월 25일
반도체
Co-packaged optics, 데모에서 AI 패브릭 제약으로
스위치 ASIC과 GPU 클러스터가 구리의 한계를 넘어서며 CPO는 비트당 에너지를 낮추겠다고 약속합니다. 수율·레이저·열설계·서비스성이 실제 채택을 결정합니다.
2026년 5월 23일
반도체
CoWoS에서 CoPoS로: 패널 패키징이 AI 로드맵에 진입한다
웨이퍼급 첨단 패키징은 여전히 주력이지만, 패널급 플랫폼이 차세대 가속기의 크기·비용·처리량을 확장하기 위해 자격 검증 단계에 들어가고 있습니다.
2026년 5월 21일
반도체
첨단 패키징과 HBM이 AI 칩 속도를 좌우한다
선단 웨이퍼는 이야기의 절반일 뿐입니다. CoWoS급 패키징과 HBM 할당이 어떤 AI 가속기가 양산에 도달하는지를 결정합니다.
2026년 5월 19일