구리 화학기계연마는 두께·잔류 금속 이야기로 팔린다. 현장에서는 종종 토포그래피 이야기다. 넓은 라인은 디싱되고, 고밀도 배열은 침식된다. 웨이퍼는 광학 엔드포인트에서 “클리어”로 나가면서도 두 모듈 뒤 초점 심도를 망칠 만큼의 요철을 싣는다.
CMP 슬러리 공급, 패드 컨디셔너 수명, 챔버 매칭은 이웃 티켓이다. 이 페이지는 공정 제어로서의 구리 CMP 디싱·침식—패턴 밀도 효과, 오버폴리시 예산, 요철을 실제로 그리는 계측이다.
디싱은 넓은 피처에서 연질 구리가 주변 유전체·배리어보다 우선 제거되는 것이다. 침식은 구리가 클리어된 뒤에도 폴리시가 이어질 때 고밀도 패턴 영역에서 유전체 스택이 얇아지는 것이다. 둘 다 다음일 때 커진다.
- 엔드포인트가 늦거나 시끄러워 레시피가 최악 다이에 맞춘 고정 오버폴리시 시간에 기대는 경우
- 슬러리 선택비가 로트·온도 변화 뒤 드리프트하는 경우
- 패드 글레이즈나 컨디셔너 언더드레싱이 웨이퍼 전역 접촉 역학을 바꾸는 경우
- 새 테이프아웃의 패턴 밀도가 폴리시 창을 잡을 때 쓴 모니터 웨이퍼에 한 번도 반영되지 않은 경우
처분에 속하는 계측
단일 센터 사이트 구리 두께는 디싱을 소유하지 않는다. 대표 넓은·밀도 구조의 프로파일메트리나 고해상 두께 맵이 소유한다. 디싱 깊이와 침식을 폴리시 시간·컨디셔너 카운트·슬러리 로트에 대해 추세하라. 리소 초점 예산이 줄면 스캐너 레시피를 다시 쓰기 전에 마지막 CMP 토포그래피 로트 계보를 당겨라.
잔류 구리를 지우는 일은 중요하다. 폴리시가 라인 나머지가 합의한 적 없는 새 토포그래피 스펙을 만들기 전에 멈추는 일도 중요하다. “Cu clear” 램프만 보는 사이트는 다음 패터닝 단계에서 조용한 수율 손실을 산다.