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FOUP #A-7741 여행기: 오염은 입자 신화가 아니라 경로
캐리어 이력, AMHS 핸드오프, loadport 규율이 웨이퍼가 외래 입자를 물려받을지 가른다—반도체 물류-오염 이야기이지, AMC 탐정 타임라인, UPW 순도 루프, 포토레지스트 track 콜드체인이 아니다.
2026년 7월 28일
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Lab notebook: wet-bench bath #7과 아무도 log하지 않은 lifetime
Bath age, spike chemistry, changeout trigger가 particle·etch drift를 가른다—semiconductor wet-process notebook이지, UPW loop purity, CDA dew point, photoresist track logistics 아님.
2026년 7월 28일
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워룸 트랜스크립트: 네온, 헬륨, 가스를 PO로 본 fab
실린더 배분, 순도 등급, 이중 공급 거짓말이 특수 가스가 조일 때 litho·etch uptime을 가른다—반도체 재료 capacity 이야기이지, photoresist 콜드체인, CMP 슬러리 IBC, 건식 진공 펌프 리빌드가 아니다.
2026년 7월 28일
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도즈를 따라가라: 폐쇄 측정 사슬로서 이온 주입
빔 전류, Faraday 컵, 전하 중화, 도즈 SPC가 디바이스 파라메트릭 건강을 좌우한다—반도체 계측·제어 이야기이지, 포토레지스트 트랙 물류·High-NA 스티칭·드라이 진공 펌프 신뢰성이 아니다.
2026년 7월 27일
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High-NA EUV는 스티칭과 DOF에서 실패한다—스캐너 브로슈어가 아니라
필드 스티칭, 박 resist DOF, 마스크–에칭 공동 최적화가 High-NA 수율 창을 좌우한다—반도체 공정 이야기이지, High-NA 툴 개요·펠리클 물류·포토레지스트 트랙 콜드체인이 아니다.
2026년 7월 25일
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트랙 코터는 공급망이다: 레지스트 물류가 무너지면 리소가 기다린다
포토레지스트 콜드체인·디스펜스 건강·코팅 균일도가 리소 큐 시간을 좌우한다—반도체 소모품 이야기이지, EUV 펠리클 공급·AMC 수사·드라이 진공 펌프가 아니다.
2026년 7월 24일
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드라이 펌프 워룸: 툴 진공이 팹 용량 제약이 될 때
드라이 진공 펌프·포어라인·어베이트먼트가 에칭/CVD 가동률을 좌우한다—반도체 유틸리티 이야기이지 CMP 슬러리 토트, AMC 수사, 질소 블랭킷팅이 아니다.
2026년 7월 23일
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0시부터 2주까지: AMC 수사가 리소그래피 베이를 실제로 어떻게 클리어하는가
기상 분자 오염은 레지스트·광학을 위한 탐정 타임라인이다—CMP 슬러리 물류도, EUV 펠리클 공급도, 클린룸 HVAC 브로슈어 수학도 아니다.
2026년 7월 22일
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CMP 슬러리는 토트 라벨을 입은 공정 화학 공급망이다
입도·패드 페어링·이중 소싱 물류가 폴리시 수율을 결정합니다. 팹용 조달 타임라인이며 기판·마스크 이야기가 아닙니다.
2026년 7월 21일
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EUV 포토마스크·펠리클 공급이 숨은 리소그래피 게이트가 된다
마스크 샵 용량과 펠리클 수율이 툴 설치 후 스캐너 가동을 소유합니다. High-NA CapEx·ABF 기판에 인접하며 초점은 레티클 물류입니다.
2026년 7월 21일
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SiC 웨이퍼 공급이 전력 디바이스 램프 뒤의 병목이 된다
불에서 웨이퍼까지 용량·결함 밀도·직경 전환입니다. SiC/GaN 디바이스 헤드라인·SST 랙·산업 드라이브 설치와 구분됩니다.
2026년 7월 20일
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기판 워피지 계측이 대형 AI 패키지의 조용한 게이트가 된다
대형 유기·패널 캐리어의 평탄도 측정과 공정 제어입니다. ABF 용량 헤드라인·글라스 코어 베팅·패키지 테스트 플로어와 구분됩니다.
2026년 7월 20일
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ABF 유기 기판이 글라스 파일럿 중에도 여전히 물량 게이트
빌드업 ABF 용량·수율이 여전히 대부분 AI 패키지를 출하합니다. 글라스 코어 베팅·CoWoS/CoPoS 라인·패키지 테스트 플로어와 구분됩니다.
2026년 7월 19일
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UCIe가 칩렛 인터커넥트를 슬라이드웨어에서 패키징 계약으로
다이투다이 표준 준수·PHY 제약입니다. 칩렛 수출 서사·CXL 풀링·하이브리드 본드 수율·CPO/LPO 옵틱과 구분됩니다.
2026년 7월 19일
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패키지 테스트·번인이 AI 패키징 처리량 게이트가 된다
핸들러·소켓·번인 용량이 첨단 AI 패키지를 제한합니다. CoWoS·하이브리드 본드·글라스 기판의 하류입니다.
2026년 7월 17일
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CFET 적층이 나노시트 GAA 이후 밀도 베팅이 된다
상보 FET 수직 적층은 로직 스케일 지속을 겨냥합니다. GAA 위험 램프·하이브리드 본딩 HBM·첨단 패키징 경쟁과 구분됩니다.
2026년 7월 11일
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프로세싱-인-메모리가 AI의 데이터 이동 세금을 겨냥한다
PIM·니어메모리 연산은 추론·임베딩 워크로드의 HBM 왕복 에너지를 줄이려 합니다. 또 다른 패키징·본딩 경쟁이 아니라 아키텍처 완화입니다.
2026년 7월 06일
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하이브리드 본딩이 AI HBM 스택의 수율 관문이 된다
Cu-Cu·하이브리드 본딩이 HBM과 로직을 더 가깝게 만듭니다. 용량은 웨이퍼 스타트·기판 로드맵만이 아니라 본드 수율과 클린룸 CapEx를 따릅니다.
2026년 7월 01일
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글래스 코어 서브스트레이트가 다음 AI 패키징 소재 경쟁이 되다
스루글래스 비아와 글래스 코어가 랩을 떠납니다. 파일럿 라인·JV가 2026–27 인증을 노리고, 유기 서브스트레이트는 대형 AI 패키지에서 워피지·크기 한계에 부딪힙니다.
2026년 6월 28일
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GAA 나노시트 로직이 로드맵 슬라이드에서 리스크 양산으로
게이트올어라운드 트랜지스터는 더 이상 미래 노드 약속이 아닙니다. RibbonFET급 소자의 18A급 플로가 리스크 양산에 들어가 GAA를 백사이드 전력과 짝지어 AI 시대 밀도를 노립니다.
2026년 6월 24일
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LPO 광학이 풀 CPO 전에 AI 패브릭을 잇는다
리니어·기타 플러그형 광학이 CPO가 성숙하는 동안 2026 물량을 가져갑니다. 구리보다 낮은 전력, CPO보다 낮은 통합 위험, 스케일아웃을 위한 실제 조달 선택입니다.
2026년 6월 19일
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CXL 메모리 풀링이 AI의 용량 우회로가 된다
HBM과 GPU 패키지가 비용·공급 벽에 부딪히면 CXL 패브릭이 랙이 범용 DRAM을 공유하게 합니다. HBM보다 느리지만, 메모리 때문에 연산을 사는 일을 막는 더 싼 용량입니다.
2026년 6월 14일
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칩렛·3D 스택이 수출 통제 우회로가 된다
첨단 EUV 접근이 막히면 설계자는 패키징으로 성능을 밀어 올립니다. 칩렛·하이브리드 본딩·수직 스택이 아키텍처를 지정학 전략으로 바꿉니다.
2026년 6월 09일
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HBM4가 메모리를 AI 공급망 경쟁으로 바꾼다
2026년 양산과 초기 HBM4E 샘플이 다음 가속기 세대를 누가 먹일지를 다시 씁니다. 베이스 다이 공정·스택 높이·고객 자격이 이제 DRAM 비트만큼 중요합니다.
2026년 6월 04일
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백사이드 전력 전달이 AI 노드 설계 제약이 된다
웨이퍼 뒷면에서 전력을 공급하면 앞면 인터커넥트를 신호에 비울 수 있습니다. 다만 공정 복잡도·열 경로·수율 학습이 누가 먼저 양산하는지를 정합니다.
2026년 5월 30일
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High-NA EUV가 팹 CapEx·공정 결정이 된다
0.55-NA EUV 장비가 서브-2nm 작업을 위해 자격 검증에 들어갑니다. 비용·처리량·0.33-NA 다중패터닝이 여전히 이기는지가 실제 로드맵 질문입니다.
2026년 5월 25일
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Co-packaged optics, 데모에서 AI 패브릭 제약으로
스위치 ASIC과 GPU 클러스터가 구리의 한계를 넘어서며 CPO는 비트당 에너지를 낮추겠다고 약속합니다. 수율·레이저·열설계·서비스성이 실제 채택을 결정합니다.
2026년 5월 23일
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CoWoS에서 CoPoS로: 패널 패키징이 AI 로드맵에 진입한다
웨이퍼급 첨단 패키징은 여전히 주력이지만, 패널급 플랫폼이 차세대 가속기의 크기·비용·처리량을 확장하기 위해 자격 검증 단계에 들어가고 있습니다.
2026년 5월 21일
반도체
첨단 패키징과 HBM이 AI 칩 속도를 좌우한다
선단 웨이퍼는 이야기의 절반일 뿐입니다. CoWoS급 패키징과 HBM 할당이 어떤 AI 가속기가 양산에 도달하는지를 결정합니다.
2026년 5월 19일